因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。
KRI 離子源應(yīng)用
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.
常見的工藝應(yīng)用 | 簡稱 |
In-Situ Substrate Preclean 基片預(yù)清洗 | PC |
Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 離子束材料和表面改性 | IBSM |
Ion Beam Assisted Deposition 離子束輔助沉積 | IBAD |
Ion Beam Etching 離子蝕刻 | IBE |
Ion Beam Sputter Deposition 磁控濺射輔助沉積 | IBSD |
Direct Deposition 直接沉積 | DD |
作為一種新興的材料加工技術(shù), 美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助客戶獲得理想的薄膜和材料表面性能. 行業(yè)涉及精密光學(xué), 半導(dǎo)體制造, 傳感器, 醫(yī)學(xué)等多個領(lǐng)域.
| 精密薄膜控制 |
| 半導(dǎo)體 |
| 蝕刻晶元 |
| MEMS, 傳感器和顯示器 |
| 精密光學(xué) |
| 磁數(shù)據(jù)存儲 |
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