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KRI 考夫曼離子源典型應用 IBF 離子束拋光工藝
離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機的核心部件. 上海伯東美國 KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應用于光學鍍膜離子束拋光機 IBF Optical coating 及晶體硅片離子束拋光機 IBF Clrystalline )工藝.
考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計更符合離子源于離子拋光機內(nèi)部的移動運行. 上海伯東是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源離子束拋光實際案例一:
1. 基材: 100 mm 光學鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).
離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖 | 離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
KRI 離子源離子束拋光實際案例二:
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )
離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖 | 離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
KRI 離子源實際安裝案例一: KDC 10 使用于光學鍍膜離子束拋光機
KRI 離子源實際安裝案例二: KDC 40 使用于晶體硅片離子束拋光機
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號:
型號 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
電壓 | DC magnetic confinement | ||||
- 陰極燈絲 | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC | ||||
電子束 | 電子束 | ||||
- 柵極 | 專用,自對準 | ||||
- 柵極直徑 | 1 cm | 4 cm | 7.5 cm | 12 cm | 16 cm |
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