因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

熱場均勻性、加熱器電阻偏差率、保溫層導(dǎo)熱系數(shù)、籽晶夾持力、坩堝旋轉(zhuǎn)同心度、真空泄漏率、冷卻水流量穩(wěn)定性、磁場干擾強度、電極接觸阻抗、石英部件透光率、石墨件碳含量、熱屏變形量、溫度梯度線性度、壓力波動容差、氬氣純度分析、晶體生長速率偏差、功率波動響應(yīng)時間、機械振動幅度、軸向?qū)χ卸日`差、徑向跳動量、密封圈耐溫極限、視窗耐壓強度、饋電系統(tǒng)絕緣電阻、氣體分布均勻性、熱膨脹系數(shù)匹配度、冷卻速率一致性、表面粗糙度Ra值、殘余應(yīng)力分布、氧含量滲透率、晶體位錯密度。

檢測范圍

單晶爐主體框架、石墨加熱器組件、石英觀察窗總成、真空泵組系統(tǒng)、水冷循環(huán)管路模塊、磁流體密封裝置、籽晶提升機構(gòu)總成、多段式保溫筒體組、雙層水冷電極系統(tǒng)、鉬制支撐吊桿組件、高純氬氣輸送管道、晶體直徑測量傳感器組、熱場屏蔽環(huán)組件、坩堝驅(qū)動伺服電機組、真空計校準(zhǔn)裝置殘余氣體分析儀接口法蘭盤組塊式熱交換器單元壓力平衡閥組溫度補償型熱電偶陣列紅外測溫探頭組晶體夾持機械手裝置爐體防輻射屏蔽層材料真空波紋管補償器高純硅熔體液面監(jiān)測系統(tǒng)晶體生長過程錄像單元應(yīng)急冷卻噴射裝置。

檢測方法

X射線衍射法：通過布拉格角測量晶體取向偏差與晶格畸變率；紅外熱成像法：采用非接觸式掃描獲取熱場溫度梯度分布數(shù)據(jù)；四探針電阻測試法：測定石墨元件電阻率均勻性與接觸阻抗；激光干涉測量：用于機械傳動系統(tǒng)軸向跳動量與同心度校準(zhǔn)；質(zhì)譜分析法：定量分析真空腔內(nèi)殘余氣體成分及分壓比例；三維坐標(biāo)測量：構(gòu)建熱場組件幾何形位公差數(shù)字化模型；超聲波探傷法：檢測金屬構(gòu)件內(nèi)部裂紋與焊接缺陷；高溫拉伸試驗：驗證保溫材料在1400℃工況下的抗蠕變性能；氦質(zhì)譜檢漏法：定位真空系統(tǒng)泄漏點并計算泄漏率；動態(tài)壓力掃描：模擬工藝氣體流量突變時的系統(tǒng)響應(yīng)特性。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30858-2014電子工業(yè)用單晶爐通用技術(shù)條件
JB/T12345-2015晶體生長設(shè)備熱場組件測試規(guī)范
ISO16112:2018光伏級硅材料缺陷密度測定方法
SEMIF47-0706半導(dǎo)體設(shè)備真空系統(tǒng)驗收標(biāo)準(zhǔn)
GB/T19001-2016質(zhì)量管理體系在單晶制造中的應(yīng)用指南
ASTME112-13平均晶粒度測定標(biāo)準(zhǔn)試驗方法
IEC60749-25:2003半導(dǎo)體器件機械與氣候試驗方法
GB/T13303-2020鋼的抗氧化性能測試方法
SJ/T11482-2014電子級多晶硅中雜質(zhì)含量的測定
DINEN60584-1:2013熱電偶允差與校準(zhǔn)規(guī)范

檢測儀器

X射線衍射儀（PANalyticalEmpyrean）：配備高溫環(huán)境艙實現(xiàn)原位晶體結(jié)構(gòu)分析；紅外熱像儀（FLIRT1020）：12801024像素分辨率支持0.03℃溫度靈敏度；激光干涉儀（RenishawXL-80）：線性測量精度0.5ppm的位移校準(zhǔn)系統(tǒng)；四探針測試臺（Keithley2450）：支持100nA~1A寬范圍電流輸出與微歐級阻抗測量；質(zhì)譜檢漏儀（INFICONUL1000）：最小可檢漏率510^-12Pam/s的氦氣探測能力；三維坐標(biāo)測量機（HexagonGlobalS）：配備藍(lán)光掃描頭實現(xiàn)1.5μm/m精度建模；超聲波探傷儀（OlympusEPOCH650）：0.5~15MHz寬頻探頭組支持復(fù)合材料分層檢測；高溫力學(xué)試驗機（Instron8862）：1700℃環(huán)境模擬艙配合100kN載荷傳感器；殘余氣體分析儀（HidenHPR-60）：1~300amu質(zhì)量范圍實現(xiàn)ppb級氣體成分解析；晶體定向儀（XRT-200）：采用勞厄背反射法完成晶體軸向偏差角測量。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進(jìn)行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件